之前为什么说美国半导体在没落？这是因为美国在全球半导体制造的市场份额从1990年的37%下降到2021年的12%。但是美国政府真正担心的是，只有12%的芯片制造份额，但美国公司却设计了全球47%的芯片。实际上这就意味着美国芯片公司自己设计的芯片，大多数都在美国海外制造，这对美国来说一方面影响了本地经济；但另一方面美国的芯片不在美国制造，这就有技术外泄的可能，从而产生美国经常用的一个借口：国家安全！

我们很多时候都在嘲笑美国将国家安全当做借口，但是说实话美国是真的有很多人将这作为真正的担心，而不仅仅是一个制裁其他国家和公司的理由。所以从两方面考虑，美国政府也好，从业人员也好，都在呼吁美国建立更多的芯片和半导体工厂。

美国的芯片法案已经确定，这个我们就不细说了。当然这其中除了鼓励全球芯片公司在美国建厂并给予补贴之外，很重要一点还是不能在中国内地新建和扩建新的芯片工厂。所以我们也说过了，一些厂商会感到比较犹豫，但是其他一些本来在国内都没有怎么建厂的公司，无论是不是美国公司，肯定是会在美国建厂的。

目前有五家芯片制造公司已经积极响应美国的芯片法案，确定在美国建厂。这几家公司将会获得美国政府提供的520亿美元的补助，同时还会获得新的税收优惠。在当前的经济环境下，这些优惠和补助对这些芯片公司来说都是非常急需的。目前这五家公司分别是Intel、三星半导体、台积电、格罗方德（GF）以及德州仪器。

Intel就不用多说了，目前，Intel正在建设四个芯片生产工厂，两个在亚利桑那州，两个在俄亥俄州，以及一个在新墨西哥州的先进封装工厂。这其中在亚利桑那州是Intel很重要的芯片工厂，分别有Fab52和Fab62两个工厂，这些工厂会在2024年上线生产，耗资约200亿美元，主要是生产Intel20A工艺，也就是Intel的5nm工艺，对飚三星和台积电的2nm工艺。

至于俄亥俄州的两个芯片工厂，Intel还没有命名，不过据说总投资达到了1000亿美元，要十年才能全部建成。这两个工厂会在2025年上线Intel18A和20A两个工艺，使用ASML最新的极紫外EUV光刻机。至于新墨西哥州的封装工厂，除了封装之外还要构建复杂的多芯片设计，预计在2023年或者2024年正式启动。

台积电在2020年就表示要在美国亚利桑那州凤凰城附近建造具备5nm能力的晶圆厂，这是台积电在中国台湾之外修建的第三个工厂，另外两个一个在华盛顿州卡马斯的WaferTech工厂（使用成熟节点处理200毫米晶圆）和位于中国江苏省南京市的Fab16工厂，后者主要制造28nm的芯片。台积电在美国建立的5nm工厂名为Fab21，台积电将在未来许多年分六个阶段建设这个工厂，第一阶段将于2024年初上线，并使用台积电的N5（N5、N5P、N4、N4P、N4X）系列工艺技术生产芯片，未来也可能制造3nm乃至2nm等先进芯片。

格罗方德也就是GF，打算在纽约建立一个新的芯片工厂，不过格罗方德不会涉足先进工艺，最高还是12nm的制程。目前格罗方德没有透露纽约新的芯片工厂具体情况，不过按照过去来看，还是会在14nm、12nm以及改良版本上做文章。格罗方德的工艺是美国境内很多公司采用的制程，和美国军方也有大量合作，毕竟是美国本土的芯片制造商，美国军方也大量采用了格罗方德的芯片。

至于三星半导体，早在2005年就在美国成立了分公司，而且从2009年开始就为美国本土企业提供芯片代工业务。三星在德克萨斯州奥斯汀的S2工厂生产芯片，之前三星在德克萨斯州已经制造了32nm、28nm和14nm的芯片，不过更先进的芯片还是在韩国制造。三星已经打算宣布在德克萨斯州泰建造一座全新的晶圆厂，该项目将耗资170亿美元，新设施将于2024年下半年上线。而且看起来三星是打算在得克萨斯州大展身手，三星已经提交了11份建厂申请，每个新的工厂平均耗资175亿美元，总投资将达到1920亿美元。如果这些新的芯片制造工厂都建立起来，三星将成为美国晶圆厂最多的半导体公司。

最后说说德州仪器。德州仪器于今年5月开始在德克萨斯州建造其新的大型芯片制造工厂。新的芯片工厂将分四个阶段建设，第一座晶圆厂将于2025年投产，这将是德克萨斯州有史以来最大的经济项目。它将花费德州仪器约300亿美元，且整个时间段跨越十年。不过德州政府计划在工厂的前30年中减免90%的财产税，以鼓励德州仪器的投资。

总的来说，目前全球最大的三个芯片制造企业，台积电、三星和Intel都会在美国修建新的芯片工厂，而且工艺都非常先进。从长远考虑，未来除了韩国和中国台湾之外，全球有更多的芯片将会在美国本土制造！更关键的是美国公司本身拥有最强的芯片设计能力，这部分则是韩国和中国台湾所无法相比的！

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